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快恢復(fù)二極管

[ 瀏覽次數(shù):約1475次 ] 發(fā)布日期:2017-07-05

       快恢復(fù)二極管(簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。

快恢復(fù)二極管.jpg

目錄
快恢復(fù)二極管分類
快恢復(fù)二極管區(qū)別
快恢復(fù)二極管性能特點(diǎn)
快恢復(fù)二極管注意事項(xiàng)
常見快恢復(fù)二極管參數(shù)表

快恢復(fù)二極管分類

采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽(yáng)和共陰。

FRD 應(yīng)用拓?fù)?/span>


快恢復(fù)二極管區(qū)別

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下。

肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。

這兩種管子通常用于開關(guān)電源。

肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~!

前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~!

快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.

肖特基二極管:反向耐壓值較低40V-50V,通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。

快恢復(fù)二極管:有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.

通常,5~20A的快恢復(fù)二極管采用TO-220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝,5A一下的快恢復(fù)二極管則采用DO-41,DO-15,或D0-27等規(guī)格塑料封裝。


快恢復(fù)二極管性能特點(diǎn)

反向恢復(fù)時(shí)間

反向恢復(fù)時(shí)間(tr)的定義:電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時(shí)刻,I=0。然后整流器件上流過反向電流IR,并且IR逐漸增大;在t=t2時(shí)刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。

快恢復(fù)二極管 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓??旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。

快恢復(fù)二極管 20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝,

幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。

反向恢復(fù)時(shí)間

測(cè)量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF,脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號(hào),利用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr,有關(guān)系式:

trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)

由式(5.3.1)可知,當(dāng)IRM為一定時(shí),反向恢復(fù)電荷愈小,反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。

常規(guī)檢測(cè)方法

在業(yè)余條件下,利用萬(wàn)用表能檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?,以及?nèi)部有無(wú)開路、短路故障,并能測(cè)出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表,還能測(cè)量反向擊穿電壓。實(shí)例:測(cè)量一只C90-02超快恢復(fù)二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,讀出正向電阻為6.4Ω,n′=19.5格;反向電阻則為無(wú)窮大。進(jìn)一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。


快恢復(fù)二極管注意事項(xiàng)

1)有些單管,共三個(gè)引腳,中間的為空腳,一般在出廠時(shí)剪掉,但也有不剪的。

2)若對(duì)管中有一只管子損壞,則可作為單管使用。

3)測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí),必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測(cè)試電流太小,遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流,故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測(cè)量,正向電阻就等于2.2kΩ,此時(shí)n′=9格。由此計(jì)算出的VF值僅0.27V,遠(yuǎn)低于正常值(0.6V)。

常見快恢復(fù)二極管參數(shù)表

型號(hào)

品牌

額定電流

額定電壓

反向恢復(fù)時(shí)間

封裝極性

IN5817

GJ

1A

20V

10ns


IN5819

GJ

1A

40V

10ns


IN5819

MOT

1A

40V

10ns


IN5822

MOT

3A

40V

10ns


21D-06

FUI

3A

60V

10ns


SBR360

GI

3A

60V

10ns


C81-004

FUI

3A

40V

10ns


8TQ080

IR

8A

80V

10ns

單管

MBR1045

MOT

10A

45V

10ns

單管

MBR1545CT

MOT

15A

45V

10ns

雙管

MBR1654

MOT

16A

45V

10ns

雙管

16CTQ100

IR

16A

100V

10ns

雙管

MBR2035CT

MOT

20A

35V

10ns

雙管

MBR2045CT

MOT

20A

45V

10ns

雙管

MBR2060CT

MOT

20A

60V

10ns

雙管

MBR20100CT

IR

20A

100V

10ns

雙管

025CTQ045

IR

25A

45V

10ns

雙管

30CTQ045

IR

30A

45V

10ns

雙管

C85-009*

FUI

20A

90V

10ns

雙管

D83-004*

FUI

30A

40V

10ns

雙管

D83-009*

FUI

30A

90V

10ns

雙管

MBR4060*

IR

40A

60V

10ns

雙管

MBR30045

MOT

300A

45V

10ns


MUR120

MOT

1A

200V

35ns


MUR160

MOT

1A

600V

35ns


MUR180

MOT

1A

800V

35ns


MUR460

MOT

4A

600V

35ns


BYV95

PHI

1.5A

1000V

250ns


BYV27-50

PHI

2A

55V

25ns


BYV927-100

PHI

2A

100V

25ns


BYV927-300

PHI

2A

300V

25ns


BYW76

PHI

3A

1000V

200ns


BYT56G

PHI

3A

600V

100ns


BYT56M

PHI

3A

1000V

100ns


BYV26C

PHI

1A

600V

30ns


BYV26E

PHI

1A

1000V

30ns


FR607

GI

6A

1000V

200ns


MUR8100

MOT

8A

1000V

35ns

單管

HFA15TB60

IR

15A

600V

35ns

單管

HFA25TB60

IR

25A

600V

35ns

單管

MUR30100

HAR

30A

1000V

35ns

單管

MUR30120

HAR

30A

1200V

35ns

單管

MUR1620

PHI

16A

200V

35ns

雙管

MUR1620CT

MOT

16A

200V

35ns

雙管

MUR1620P

MOT

16A

200V

35ns

雙管

MUR1660CT

MOT

16A

600V

35ns

雙管

HFA16TA600

IR

16A

600V

35ns

雙管

MUR3030

GI

30A

300V

35ns

雙管

MUR3040

MOT

30A

400V

35ns

雙管

MUR3060

MOT

30A

600V

35ns

雙管

HFA30TA600

IR

30A

600V

35ns

雙管

MUR20040

MOT

200A

400V

35ns

雙管

B92M-02

FUI

20A

200V

35ns

單管

C92-02

FUI

20A

200V

35ns

雙管

D92M-02

FUI

30A

200V

35ns

雙管

D92M-03

FUI

30A

300V

35ns

雙管

DSE130-06

DSET

30A

600V

35ns

雙管

DSE160-06

DSET

60A

600V

35ns

雙管


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